MOS管知識(shí)解析|怎么降低MOS的失效率
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如何以最小代價(jià)降低MOS的失效率
如何降低MOS的失效率：在高端MOS的柵極驅(qū)動(dòng)電路中，自舉電路因技術(shù)簡(jiǎn)單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中，MOS常莫名其妙的失效，有時(shí)還伴隨著驅(qū)動(dòng)IC的損壞。如何解決？一個(gè)合適的電阻就可搞定問(wèn)題。
【問(wèn)題分析】
圖為典型的半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過(guò)低端二極管進(jìn)行續(xù)流，導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負(fù)壓，且負(fù)壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。
該負(fù)壓會(huì)把驅(qū)動(dòng)的電位拉到負(fù)電位，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路異常，還可能讓自舉電容過(guò)充電導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路或者柵極損壞。由于IC的驅(qū)動(dòng)端通常都有寄生二極管，當(dāng)瞬間的大電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)口的二極管時(shí)，很可能引發(fā)寄生SCR閉鎖效應(yīng)，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路徹底損壞。
【解決方法】
如何降低MOS的失效率：如上圖所示，在自舉驅(qū)動(dòng)芯片VS端與Q1的源極之間增加一個(gè)電阻Rvs，該電阻不僅是自舉限流電阻，同時(shí)還是導(dǎo)通電阻和關(guān)斷電阻。
由于占空比受自舉電容影響，該電阻值一般不能取得較大，推薦值為3~10Ω較為適宜。電阻和自舉電容的容值與其充電時(shí)間可以由以下公式得出：
其中C是自舉電容容值，D為最大占空比
對(duì)于減小高端MOS驅(qū)動(dòng)的寄生振蕩，除通過(guò)增加驅(qū)動(dòng)端的電阻發(fā)揮作用外，在印制電路板的設(shè)計(jì)中，還可注意以下一些細(xì)節(jié)，將寄生振蕩降到最低。
如：自舉二極管應(yīng)緊靠自舉電容，功率布線(xiàn)盡量短且走線(xiàn)圓滑，直插器件應(yīng)緊貼PCB以減小寄生電感等。