逆阻型IGBT特性與工作原理普通的IGBT只能做單向并且是正向的開關，如果作為反向開關，就需要在集電極或者發(fā)射極回路串 聯(lián)一個阻斷二極管，如圖l所示。因為不能耐受反向電壓，故 即使是沒有集成體二極管的IGBT作反向開關，也齋蟄串耿一個體二極管。
圖1 普通IGBT只能作單向開關
普通IGBT如果要作雙向交流開關，就需要兩套同樣的單向開關 電路，分別擔負信號正、負半周的開關，如圖2所示。
圖2 普通IGBT作交流開關的方法
RB-IGBT(Reverse Blocking IGBT，逆阻IGBT)相當于在集電極回路中集成了一個反向二極管（與續(xù)流二極管的方向相反），因此適合于作交流開關。這個二極管并不是串 聯(lián)了一個實體的反向二極管芯片，而是將集電極側(cè)P十 層的離子注入濃度適當減少，注入深度適當加深，形成一個等效的反向二極管，使IGBT具有反向電壓阻斷能力。與集成一個獨立的實體二極管芯片相比，這樣做可以降低成本；與在外部串 聯(lián)一個阻斷二極管相比，減少了占板面積。
RB-IGBT在飽和壓降方面的優(yōu)勢并不大，成本和RC-IGBT一樣，也是性價比高的產(chǎn)品。這也許是RB-IGBT上市時間這么長，跟進的制造商卻并不多的原因。或許正是這一原因，RC-IGBT目前沒有統(tǒng)一的電路符號，圖1.23是兩種可用的電路符號，本文也以此為例。
圖3 推薦的兩種RB——IGBT 電路符號
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