MOS管其內(nèi)部有一個寄生二極管，有的也叫做體二極管。
1、PMOS管做開關用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，一般MOS管的導通內(nèi)阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時體二極管是截至狀態(tài)的。
2、PMOS管D極接電源輸入，S極接輸出，D極首先通過PMOS管內(nèi)部的體二極管到達S極，控制G極為0，Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，和上面一樣，DS溝道壓降很小，DS壓差不足以使二極管導通，這時候MOS管的體二極管也是截至狀態(tài)的。
如果控制G極為高電平，PMOS管會截至，D極電源輸入走的是體二極管路徑，一般二極管壓降是要比MOS管大一些的，所以Vs會比Vd小一些。
上面場景2，在某些電路場合中經(jīng)常會用到。
比如雙電源供電的方案中，其中一個電壓較低，接近負載電源電壓，可以直接走MOS管的溝道；另外一個電壓較高，如果直接導通，DS電壓差不多，后端負載承受不住，這時候利用MOS管內(nèi)部的體二極管，增大DS之間的壓降，保證了安全。
使用場景2，我們就要考慮寄生二極管的過電流能力和壓降。
這個體二極管其實就是一個普通的二極管，也能過較大的電流，比如下面這個，DS溝道能過5.8A，體二極管能過2.9A。
大多數(shù)MOS管規(guī)格書上，是不會給出MOS管體二極管相關參數(shù)的，或者給的數(shù)據(jù)比較少。
如果我們要應用在電路中，需要讓廠家提供詳細的數(shù)據(jù)。他們的數(shù)據(jù)會很完整，包括不同電流下的壓降，不用溫度下的數(shù)據(jù)，如常溫25℃，75℃等等。
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