以某型號(hào)器件為例，通過(guò)分析其曲線，來(lái)分析MOS管的工作特性。
一、轉(zhuǎn)移特性曲線(VGS-ID曲線)
說(shuō)明的是柵極電壓VGS對(duì)ID的控制作用。
從上圖曲線可得到：
1、測(cè)試條件：VDS=20V；
2、VGS的開(kāi)啟電壓VGS(th)，約5V，且隨著溫度的升高而降低；
3、VGS需要達(dá)到10V以上，才能完全導(dǎo)通，達(dá)到其最大標(biāo)稱(chēng)ID；
4、VGS越大，ID才能越大，溫度越高，ID越小；
二、輸出特性曲線(VDS-ID曲線)
上圖可被分為四部分：
1、夾斷區(qū)(截止區(qū))
此區(qū)域內(nèi)，VGS未達(dá)到VGS(th)，MOS管不導(dǎo)通，即ID基本為零；
2、可變電阻區(qū)
此區(qū)域內(nèi)，ID-VDS基本維持線性比例關(guān)系，斜率即為MOSFET的導(dǎo)通電子Rds(on)。
3、飽和區(qū)
此區(qū)域內(nèi)，ID不再隨著VDS的增大而增大。說(shuō)明ID已經(jīng)飽和了。
4、擊穿區(qū)
此區(qū)域內(nèi)，因VDS過(guò)大，MOSFET被擊穿損壞。
當(dāng)MOSFET工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，隨著VGS的通/斷，MOSFET是在截止區(qū)和可變電阻區(qū)來(lái)回切換的，在切換過(guò)程中可能會(huì)經(jīng)過(guò)飽和區(qū)。
當(dāng)MOSFET工作于飽和區(qū)時(shí)，可以用來(lái)通過(guò)控制VGS的電壓來(lái)控制電流ID，將MOSFET用于實(shí)現(xiàn)上電軟起動(dòng)電路。
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